A propos de vos missions
La fabrication des circuits CMOS nécessite l’utilisation de procédés plasma qui peuvent induire des champs électriques intenses ou une injection de charges sur les dispositifs de type transistors à effet de champs. Il peut en résulter un décalage de de la tension de seuil des transistors MOS ou la rupture du diélectrique de grilles des transistors. Ce phénomène est connu sous le terme de Plasma Induced Damage ou PID.
L’objectif principal de la thèse est d’améliorer les règles de conception (règles d’antenne et diodes de protection) permettant de protéger les des circuits bases sur des dispositifs CMOS des effets de PID. Ce projet comprendra une phase de dessin de nouvelles structures de tests, une phase de tests de caractérisation électrique des transistors MOS et une phase d’analyse de données mettant en œuvre des techniques basées sur l’IA. Les analyses doivent permettre d’améliorer les règles de conception pour des plateformes technologiques telles que P18, 28FDSOI ou 3D40.
A propos de vous
- Bac +5, avec de solides connaissances en physique des semi-conducteurs, et en programmation.
- Intérêt pour les expérimentations en laboratoire, l’utilisation e l’IA appliquée a l’analyse de données, les recherches bibliographiques et curiosité de la compréhension des phénomènes physiques.
- Dynamisme et méthodologie dans le travail, goût pour l’interaction avec les collègues et les autres équipes.
- Lieux
- Crolles, Auvergne-Rhône-Alpes, France
- Formation
- postgraduate degree